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碳化硅装备

关键词:

产品

连续加料直拉单晶炉 CCz


主要技术指标
1、整机尺寸:(LWH)2000X2300X10800m;
2、主腔室内径1400mm,副炉室内径350mm;兼容24~34英寸RCz和32~34英寸CCz热场,可拉制10英寸以下直径的晶体;
3、加热方式:电阻加热,DC电源Pmax=150:50Kw,频率50Hz;

关键词:

数控滚磨机 LQ003PF


主要技术指标
1、加工晶棒直径:4~8英寸
2、加工晶棒长度:≤400mm
3、椭圆度:≤0.05mm

关键词:

数控平面磨床 LQ016/LQ018


设备优势
主要部件均采用知名品牌,稳定性高,耐用性强。
采用精度P3级滚珠丝杆传动,精度高。
铸件采用高等级灰口铸铁,具有更好的抗弯及抗扭应力。
可选配三级过滤水箱或纸带式过滤器,保持切削液清洁,提高加工性能及刀具寿命,减少环境污染。
硬轨全人工刮研,导轨贴合面采用贴塑处理,降低阻尼系数,提高机床精度。
可选配常规、密集型以及一体式电磁吸盘,通用性强。

关键词:

碳化硅感应生长炉


设计优点
1、满足6吋/8吋晶体生长;
2、一键智能启动,减少人工干预,利于规模化生产;
3、PVT-MF-50型碳化硅感应式长晶炉适用于生长高质量六吋碳化硅单晶、高纯度碳化硅原料合成、晶体退火等领域。

关键词:

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